Rojo a muerte corre por su casta...

PARÍS, FRANCIA (26/OCT/2010).- Las marchas y huelgas por la reforma de pensiones en Francia tienen al borde del colapso al país, por lo que el Gobierno pidió cesarlas para evitar más pérdidas.

La ministra de Economía, Christine Lagarde, lazó un nuevo “llamado a la responsabilidad”, manifestando el deseo de que las actividades se reanuden los antes posible, dado que el costo de las huelgas es de 280 a 561 millones de dólares.

“No hay que perjudicar esta recuperación de la economía francesa”.

El diario “Le Figaro”, que cita cálculos del Ministerio de Economía, reveló que el costo total de las ocho jornadas nacionales de huelgas y manifestaciones fue estimado entre mil dos mil 200 y cuatro mil 400 millones de dólares.

Lagarde citó esos costos, aunque advirtió que resulta “muy difícil” establecer un cálculo real, ya que el impacto varía de un sector de actividad a otro, pero apuntó que la industria petroquímica se encuentra entre las más afectadas.

Pero no sólo hay repercusiones económicas, sino también políticas; un sondeo de opinión del instituto IFOP reveló que la popularidad de presidente francés Nicolas Sarkozy está en 29%, el nivel más bajo desde que asumió la presidencia en mayo de 2007.

Además 63% considera “justificadas” las movilizaciones y las nuevas huelgas previstas para las próximas dos semanas.

Los sindicatos mantienen convocadas dos nuevas jornadas de paro para el próximo jueves y el 6 de noviembre, mientras que los estudiantiles salen hoy a las calles.

La reforma promovida por el presidente Nicolas Sarkozy eleva de 60 a 62 años la edad mínima para jubilarse y de 65 a 67 años la edad para cobrar una pensión completa.

Por otro lado, el ministro francés de Ecología y Transportes, Jean-Louis Borloo, aseguró que apuestan por que hoy cuatro de cada cinco gasolineras del país estén abastecidas.

Diario "El Informador"

Es la información más neutral que he podido encontrar.

... vencer una vez más

Diamantes para dispositivos de potencia

Bueno, para los que habéis seguido con cierta asiduidad este blog (algunos como forma de purgar su alma mediante la automutilación cerebral, y otros porque sencillamente están igual o peor que yo) seguro que no se os ha escapado el hecho de que llevo una temporada en la que no he escrito demasiado. Os comunico que esta eventualidad se ha debido, principalmente, a mi feliz incorporación en el grupo de "Ciencia de los Materiales, Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánica" de la universidad de Cádiz, como paso previo a la realización de mi tesis doctoral. Y, para que nadie se crea que lo que estoy haciendo (o más bien, voy a hacer) es algo que requiera una mente privilegiada, me he propuesto crear una nueva línea de posts en la que pretendo ir subiendo los avances que haga en mi investigación (así también tengo una copia de seguridad en la red).

Empiezo por sentar las bases del proyecto y por contaros a grandes rasgos en que consiste el tema fundamental de mi tesis.

Para aquellos que poseen una formación básica en electrónica, conocerán sobradamente el extenso uso que se hace de los materiales semiconductores, así como la gran cantidad de inconvenientes que se derivan de su uso... entre ellos la pérdida de conductividad con la temperatura, el exceso de calentamiento y otros muchos. Como todos sabemos, el semiconductor más extendido para hacer de base en la electrónica moderna es el Silicio, y la estructura básica que se usa para construir los distintos artilugios electrónicos es el transistor (una agrupación de transistores de una forma más o menos imaginativa puede hacer la función de cualquier otro dispositivo electrónico, lo que lo convierte en el "ladrillo" de la electrónica).

Para alterar las propiedades de los semiconductores y hacerlos más afines a la función que se quiere que desempeñen estos se "dopan", el dopado consiste en la introducción de impurezas en el material semiconductor (Silicio) que refuerzan o debilitan la conductividad (Silicio dopado con Boro, por ejemplo).

El tema fundamental de mi tesis es desarrollar un transistor MOSFET de diamante (apuntamos alto) posiblemente con un alto dopado de Boro. Las ventajas de este transistor serían aplicables a dispositivos de alta potencia, aquellos que requieran trabajar a temperaturas más elevadas, un flujo mayor de corriente y algún día (¿quién sabe?) actuar como base de una electrónica basada en la transmisión de información por fotones (no por electrones, como en la actualidad).

Dicho así, creo que hasta a mí me parece algo perfectamente realizable y hasta fácil... el tiempo dirá. Y por último no querría dejar pasar esta oportunidad para felicitar a aquellos de mis compañeros, físicos (licenciados o no) o de cualquier otra disciplina; el trabajo tiene sus frutos y ante la crisis de este fantástico sistema nuestro creo que la respuesta debe ser una economía basada en el desarrollo... así que el futuro está en nuestras manos.