Diamantes para dispositivos de potencia

Bueno, para los que habéis seguido con cierta asiduidad este blog (algunos como forma de purgar su alma mediante la automutilación cerebral, y otros porque sencillamente están igual o peor que yo) seguro que no se os ha escapado el hecho de que llevo una temporada en la que no he escrito demasiado. Os comunico que esta eventualidad se ha debido, principalmente, a mi feliz incorporación en el grupo de "Ciencia de los Materiales, Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánica" de la universidad de Cádiz, como paso previo a la realización de mi tesis doctoral. Y, para que nadie se crea que lo que estoy haciendo (o más bien, voy a hacer) es algo que requiera una mente privilegiada, me he propuesto crear una nueva línea de posts en la que pretendo ir subiendo los avances que haga en mi investigación (así también tengo una copia de seguridad en la red).

Empiezo por sentar las bases del proyecto y por contaros a grandes rasgos en que consiste el tema fundamental de mi tesis.

Para aquellos que poseen una formación básica en electrónica, conocerán sobradamente el extenso uso que se hace de los materiales semiconductores, así como la gran cantidad de inconvenientes que se derivan de su uso... entre ellos la pérdida de conductividad con la temperatura, el exceso de calentamiento y otros muchos. Como todos sabemos, el semiconductor más extendido para hacer de base en la electrónica moderna es el Silicio, y la estructura básica que se usa para construir los distintos artilugios electrónicos es el transistor (una agrupación de transistores de una forma más o menos imaginativa puede hacer la función de cualquier otro dispositivo electrónico, lo que lo convierte en el "ladrillo" de la electrónica).

Para alterar las propiedades de los semiconductores y hacerlos más afines a la función que se quiere que desempeñen estos se "dopan", el dopado consiste en la introducción de impurezas en el material semiconductor (Silicio) que refuerzan o debilitan la conductividad (Silicio dopado con Boro, por ejemplo).

El tema fundamental de mi tesis es desarrollar un transistor MOSFET de diamante (apuntamos alto) posiblemente con un alto dopado de Boro. Las ventajas de este transistor serían aplicables a dispositivos de alta potencia, aquellos que requieran trabajar a temperaturas más elevadas, un flujo mayor de corriente y algún día (¿quién sabe?) actuar como base de una electrónica basada en la transmisión de información por fotones (no por electrones, como en la actualidad).

Dicho así, creo que hasta a mí me parece algo perfectamente realizable y hasta fácil... el tiempo dirá. Y por último no querría dejar pasar esta oportunidad para felicitar a aquellos de mis compañeros, físicos (licenciados o no) o de cualquier otra disciplina; el trabajo tiene sus frutos y ante la crisis de este fantástico sistema nuestro creo que la respuesta debe ser una economía basada en el desarrollo... así que el futuro está en nuestras manos.